2021半導體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標-《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇》
第三代半導體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域將替代前兩代半導體材料。
氮化鎵GaN已在消費電子率先突破，中高壓領(lǐng)域或后來(lái)居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領(lǐng)域（0-900V）率先商用，替代傳統的硅基功率器件。更有實(shí)驗室宣布最新工作電壓可達1200V的硅基GaN外延片，如若該技術(shù)商業(yè)化順利，1000V以上中高壓領(lǐng)域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場(chǎng)份額。
新能源汽車(chē)為碳化硅SiC的最重要應用領(lǐng)域，如主驅逆變器、DC/DC轉換器、車(chē)載充電機和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動(dòng)車(chē)的續航里程更長(cháng)。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節省85%的能量損耗。能耗節省直觀(guān)增加車(chē)輛續航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動(dòng)車(chē)比使用硅基IGBT電動(dòng)車(chē)將增加5-10%的續航里程。
目前我國廠(chǎng)商已布局第三代半導體的設備、襯底、外延和器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節，包括難度最大的襯底長(cháng)晶環(huán)節，自動(dòng)化程度較高的外延環(huán)節和應用于下游市場(chǎng)的器件環(huán)節。整體來(lái)看我國第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力較強。
氮化鎵GaN單晶生長(cháng)困難問(wèn)題有何良策？
氮化鎵GaN何時(shí)可提升其射頻市場(chǎng)的滲透率？
碳化硅良率提升問(wèn)題如何解決？
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更多您關(guān)心的第三代半導體盡在12月9日 深圳國際會(huì )展中心(寶安新館)“ 第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇 ”誠邀您聽(tīng)會(huì )交流
同期峰會(huì )預告：
2021第四屆“5G&半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會(huì )
時(shí)間：2021年12月8下午13:30-17:30日 地點(diǎn)：深圳國際會(huì )展中心（寶安）
時(shí)間 | 議題 | 演講者 | |
主持人：北京大學(xué)博導 胡國慶教授 | |||
13:00-13:20 | 參會(huì )代表進(jìn)場(chǎng) | ||
13:20-13:40 | 主辦方致辭 | ||
13:40-14:00 | “中國芯”驅動(dòng)世界精彩 | 中芯國際 | |
14:00-14:20 | 趨勢而行 淺談汽車(chē)存儲的安全之路 | 深圳市江波龍電子股份有限公司 工業(yè)存儲事業(yè)部經(jīng)理 | |
14:20-14:40 | AI技術(shù)在半導體行業(yè)的應用與發(fā)展 Application and development of AI technology in the semiconductor industry | 思謀科技商務(wù)總監?趙安 | |
14:40-15:00 | 缺陷檢測方案助力集成電路工藝-SMEE缺陷檢測產(chǎn)品 | 上海微電子裝備集團 周許超*自動(dòng)光學(xué)檢測平臺經(jīng)理 | |
15:00-15:20 | 研磨劃片切割廢水循環(huán)回用，零排放 | 華清環(huán)保 總經(jīng)理?丁山清博士 | |
15:20-15:40 | 《芯設計·芯制造·芯競爭——芯時(shí)代下半導體企業(yè)如何提升研產(chǎn)銷(xiāo)、供應鏈協(xié)同的流程管理能力》 | 鼎捷軟件電子半導體事業(yè)部-副總經(jīng)理 賴(lài)建安 | |
15:40-16:00 | 主題自擬 | 聯(lián)想凌拓科技有限公司 | |
16:00-16:20 | AOI技術(shù)在半導體領(lǐng)域的應用 | 蘇州鎂伽科技有限公司 | |
16:20-16:40 | AIOT多核異構HK32MCPU為核心 打造航順無(wú)邊界生態(tài)平臺級企業(yè) | 航順半導體?白海英 執行副總裁 | |
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